半導體激光芯片概念股主要應用在低功率的光通信市場以及高功率的光纖激光器市場。我國半導體激光芯片技術基礎薄弱，在光通信芯片市場替代率仍處于較低水平，長期替代空間廣闊；在高功率光纖激光器市場，下游光纖激光器廠商不斷追趕海外巨頭，帶動背后國內激光芯片廠商進入國產替代的加速期。

 

    　　高功率半導體激光器芯片：國產替代進入加速期。高功率半導體激光芯片主要是由西方發達國家所壟斷，如美國的II-VI、Lumentum、nLight、IPG、Coherent，德國的Dilas、Jenoptic、Osram 等。表觀上我國低、中、高功率光纖激光器國產化率分別為98%、 52%、60%，但從其中的半導體激光芯片觀察，雖然我國光纖激光器芯片市場有15 億元（占全球約60%），國內第一梯隊的長光華芯、武漢銳晶合計市占率仍不到20%（占全球不到10%）。隨著以銳科、創鑫、飛博、大科、光惠等為代表的下游激光器廠商技術水平的不斷提升，我國激光芯片產業進入國產替代的加速期已成必然趨勢，以長光華芯、武漢銳晶、瑞波光電為代表的國產激光芯片廠商有望迎來發展的黃金機遇期。

 

    　　光通信芯片：下游需求方興未艾， ≥25G 國產替代空間廣闊。

 

    　　LightCounting 預計 22-27 年全球光模塊市場CAGR 可達12%，同時根據Yole 測算，19-26 年全球光模塊器件磷化銦襯底市場CAGR 約13.94%。隨著下游需求驅動，中國光通信芯片市場規模有望從2020年的6.7 億美元迅速增長到2025 年11 億美元，CAGR 將達到17.4%。

 

    　　全球主要光器件龍頭股廠家均積極布局有源光芯片、器件與光模塊產品，并達到 100Gb/s 速率及以上的水平。在中興、華為等通信設備的強勢助攻下，中國成為世界上最大的光器件消費大國，市場占比約為35%。國內企業在無源器件、低速光收發模塊等中低端細分市場較強，然而以高速率為主要特征的高端光芯片技術，還掌握在美日企業手中（美/日全球50%以上、占我國90%以上市場），我國高速率光芯片國產化率僅3%左右。國內企業只掌握了≤10Gb/s 速率的激光器概念股、探測器、調制器芯片，以及PLC/AWG 芯片的制造工藝以及配套IC 的設計、封測能力，25Gb/s 的工藝能力及產能配套都無法形成規模。受益于中國25G 光模塊的規模招標應用，國產化25G 激光器芯片概念股正逐步突破，源杰半導體、海信寬帶、光迅科技、敏芯半導體、中科光芯、三安集成、光安倫、芯思杰、華芯半導體、長瑞光電、博升光電、仟目激光等廠商已開始嶄露頭角。

 

    　　風險提示： 1）國內光通信芯片企業技術進步不及預期的風險； 2）國內高功率激光芯片概念股企業技術進步不及預期的風險。

 

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